საიტი მუშაობს სატესტო რეჟიმში

(ძველი ვერსია)
eng
facebook
youtube
twitter icon
linkedin icon

საერთაშორისო სამეცნიერო კონფერენცია GADEST 2017

ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტის    ორგანიზებით    საერთაშორისო სამეცნიერო კონფერენცია GADEST 2017 (Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology) გაიხსნა.  ღონისძიებას თსუ რექტორის მოადგილე მიხეილ ჩხენკელი, ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებათა ფაკულტეტის პროფესორები, სტუდენტები, საზღვარგარეთ მოღვაწე ქართველი მეცნიერები, უცხოელი სტუმრები დაესწრნენ. კონფერენციის თემატიკა მოიცავს თანამედროვე ნახევარგამტარების ფიზიკისა და ტექნოლოგიის   საკითხებს, როგორიცაა ნანოტექნოლოგია, მზის ბატარეები და ა. შ.  
    
ნახევარგამტარები ისეთი მასალებია,რომელებზეც დამყარებულია მთელი თანამედროვე ელექტრონიკა და ტექნოლოგია. კონფერენციის ფარგლებში განვიხილავთ უახლეს მიღწევებს და დავგეგმავთ სამომავლო მუშაობის პესპექტივებს. კონფერენცია აქამდე ტარდებოდა მხოლოდ დასავლეთ ევროპის ქვეყნებში, წელს კი თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტმა და საქართველომ, პირველმა აღმოსავლეთ ევროპის ქვეყნებიდან, მოვიპოვეთ ამ კონფერენციის ჩატარების უფლება. ეს ჩვენი უნივერსიტეტისთვის პრესტიჟული მოვლენაა და, ამავე დროს, დიდი პასუხისმგებლობაც,“- აღნიშნა კონფერენციის თავმდჯომარემ, თსუ პროფესორმა ალექსანდრე შენგელაიამ.   

GADEST კონფერენციების სერია არის ერთ-ერთი ყველაზე წარმომადგენლობითი კონფერენცია ნახევარგამტართა ფიზიკასა და ტექნოლოგიებში. მონაწილე მეცნიერებს შორის არიან თანამედროვე მზის ბატარეების ფუძემდებელი Martin Green ( University of New South Wales, ავსტრალია), ცნობილი ექსპერიმენტატორები და თეორეტიკოსები ნახევარგამტარების ფიზიკაში Peter Wilshaw (University of Oxford, დიდი ბრიტანეთი) Henry Radamson   ( KTH Royal Institute of Technology, შვედეთი), Stefan Estreicher ( Texas Tech University, აშშ ).

კონფერენციის თანათავმჯდომარის, დრეზდენის (გერმანია) ტექნიკური უნივერსიტეტის პროფესორის თეიმურაზ მჭედლიძის თქმით, კონფერენციით დაინტერესებული მეცნიერების რიცხვი ძალიან დიდია. „ეს  ღონისძიება არ არის იმისთვის, რომ უბრალოდ გვაჩვენონ მეცნიერებმა,თუ რა  შეუძლიათ და რა იციან. ეს არის კონფერენცია, რომელიც თვითონაც აინტერესებთ მეცნიერებს.  GADEST  კონფერენციაზე წელს  გამოჩენილი მეცნიერები მთელი მსოფლიოდან   ჩამოვიდნენ საქართველოში, რათა  მოგვიყვნენ თავიანთი მიღწევების შესახებ. ასეთი შემთხვევები მართლაც იშვიათია.“

GADEST კონფერენციების სერია 1985 წლიდან ყოველ 2 წელიწადში ერთხელ ტარდება.   2017 წელს GADEST პირველად გასცდება დასავლეთ ევროპის ფარგლებს. წინა კონფერენციაზე, 2015 წელს, საქართველომ, და, კერძოდ, თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტმა კონკურენტულ გარემოში მოიპოვა უფლება ჩაეტარებინა 2017 წლის კონფერენცია საქართველოში. ეს ფაქტი თავისთავად ასახავს საქართველოს მეცნიერების მაღალ ცნობადობას და ნამდვილად არის ქართველი მეცნიერების წარმატების შედეგი.

„ვფიქრობ რომ ჩვენ ძალიან საინტერესო პროგრამას შევთავაზებთ  მსმენელებს და მეცნიერებს სხვადასხვა ქვეყნიდან  და ერთობლივად გადავწყვეტთ შემდგომი კონფერენციის ჩატარების ადგილმდებარეობას,რომელიც ორი წლის შემდეგ გაიმართება,“- განაცხადა კონფერენციის თანათავმჯდომარემ ჰანს რიხტერმა (Innovations for High Performance Microelectronics, გერმანია).

კონფერენციას, რომელიც  6 ოქტომბრამდე გაგრძელდება, დიდი მნიშვნელობა ექნება ნახევარგამტარების ფიზიკის განვითარებისათვის და ზოგადად მეცნიერების პოპულარიზაციისთვის საქართველოში. ასევე ის  ხელს შეუწყობს ქართველი მეცნიერების დაახლოებას დასავლური მეცნიერებისა და ტექნოლოგიების სფეროსთან.  





თარიღი: 23/09/2019